您的位置:维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > ipi057n08n3 g

IPI057N08N3 G

  • 制造商:-
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:80 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 20 V

参考价格

  • 数量单价
  • 1¥19.04
  • 10¥16.35
  • 100¥12.28
  • 250¥10.90
  • 500¥9.52
产品属性
描述MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 80V 80A漏极连续电流80 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)5.7 mOhms配置Single
最大工作温度+ 175 C安装风格Through Hole
封装 / 箱体TO-262封装Tube
下降时间10 ns最小工作温度- 55 C
功率耗散150000 mW上升时间66 ns
工厂包装数量500典型关闭延迟时间38 ns
零件号别名IPI057N08N3GXK IPI057N08N3GXKSA1 SP000680662

ipi057n08n3 g的相关型号: