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  • IPI072N10N3 G

IPI072N10N3 G

  • 制造商:-
  • 数据列表:IPP,IPI072N10N3 G
  • 标准包装:500
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:OptiMOS?
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 1$2.41
  • 10$2.18
  • 25$1.9464
  • 100$1.7516
  • 250$1.557
产品属性
描述MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C80A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C7.2 毫欧 @ 80A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)3.5V @ 90?A闸电荷(Qg) @ Vgs68nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds4910pF @ 50V功率 - 最大150W
安装类型通孔封装/外壳TO-262-3,长引线,I?Pak,TO-262AA
供应商设备封装PG-TO262-3包装管件
其它名称SP000469900SP000680674

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