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IPI12CNE8N G

  • 制造商:-
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:85 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 20 V
产品属性
描述MOSFET N-CH 85V 67A漏极连续电流67 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.0126 Ohms配置Single
最大工作温度+ 175 C安装风格Through Hole
封装 / 箱体TO-262封装Tube
下降时间8 ns最小工作温度- 55 C
功率耗散125 W上升时间21 ns
工厂包装数量500典型关闭延迟时间32 ns
零件号别名IPI12CNE8NGXK

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