| 描述 | MOSFET N-CH 650V 31.2A TO262 | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 标准型 | 漏极至源极电压(Vdss) | 650V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 31.2A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 110 毫欧 @ 12.7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4.5V @ 1.3mA | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 118nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 3240pF @ 100V | 功率 - 最大 | 277.8W |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I?Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装 | PG-TO262-3 | 包装 | 管件 |
| 其它名称 | IPI65R110CFDXKSA1SP000896398 |
