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IPL60R385CP

  • 制造商:-
  • 数据列表:IPL60R385CP
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:CoolMOS?
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$1.17005
  • 6000$1.12671
  • 15000$1.08338
  • 30000$1.06171
  • 75000$1.04004
产品属性
描述MOSFET N-CH 600V 9.0A 4VSONFET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C9A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C385 毫欧 @ 5.2A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)3.5V @ 340?A闸电荷(Qg) @ Vgs17nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds790pF @ 100V功率 - 最大83W
安装类型表面贴装封装/外壳4-TSFN 裸露焊盘
供应商设备封装PG-VSON-4包装带卷 (TR)
其它名称IPL60R385CP-NDIPL60R385CPAUMA1SP000841898

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