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  • IPP023NE7N3 G

IPP023NE7N3 G

  • 制造商:-
  • 数据列表:IPP023NE7N3 G, IPI023NE7N3 G
  • 标准包装:500
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:OptiMOS?
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 1$6.5
  • 10$5.805
  • 25$5.2244
  • 100$4.7601
  • 250$4.29572
产品属性
描述MOSFET N-CH 75V 120A TO220FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)75V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C120A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C2.3 毫欧 @ 100A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)3.8V @ 273?A闸电荷(Qg) @ Vgs206nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds14400pF @ 37.5V功率 - 最大300W
安装类型通孔封装/外壳TO-220-3
供应商设备封装PG-TO220-3包装管件
其它名称IPP023NE7N3 G E8177IPP023NE7N3 G E8177-NDIPP023NE7N3 GTRIPP023NE7N3 GTR-NDIPP023NE7N3GE8177AKSA1IPP023NE7N3GXKSA1SP000641722SP000938080

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