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  • IPP037N08N3 G E8181

IPP037N08N3 G E8181

  • 制造商:-
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:80 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 20 V
  • 漏极连续电流:100 A
产品属性
描述MOSFET N-Channel 80V MOSFET电阻汲极/源极 RDS(导通)3.5 mOhms at 10 V
配置Single最大工作温度+ 175 C
安装风格Through Hole封装 / 箱体TO-220-3
封装Tube下降时间14 nS
栅极电荷 Qg88 nC最小工作温度- 55 C
功率耗散214 W上升时间79 nS
典型关闭延迟时间45 nS零件号别名IPP037N08N3GE8181XKSA1 IPP037N08N3GE818XK SP000765976

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