您的位置：维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > ipp04n03la

IPP04N03LA

制造商：-
产品种类：MOSFET
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：25 V
闸/源击穿电压：+/- 20 V

发布求购更多供应商

Data sheet：下载

产品属性

描述	MOSFET N-CH25V 80A	漏极连续电流	80 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）	6.7 m Ohms	配置	Single
最大工作温度	+ 175 C	安装风格	Through Hole
封装 / 箱体	TO-220AB	封装	Tube
下降时间	5.4 ns	正向跨导 gFS（最大值/最小值）	85 S / 43 S
最小工作温度	- 55 C	功率耗散	107 W
上升时间	4.5 ns	工厂包装数量	500
典型关闭延迟时间	38 ns

ipp04n03la的相关型号：