| 描述 | MOSFET Discrete Semiconductor Products MOSFETs, GaNFETs - Single - MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 | 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 5.1 mOhms |
|---|---|---|---|
| 配置 | Single | 最大工作温度 | + 175 C |
| 安装风格 | Through Hole | 封装 / 箱体 | TO-220 |
| 封装 | Tube | 下降时间 | 37 ns |
| 最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 300000 mW |
| 上升时间 | 288 ns | 工厂包装数量 | 500 |
| 典型关闭延迟时间 | 62 ns | 零件号别名 | IPP05CN10LGHKSA1 IPP05CN10LGXK SP000308801 |
