您的位置:维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > ipp096n03l g

IPP096N03L G

  • 制造商:-
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:30 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 20 V

参考价格

  • 数量单价
  • 1¥6.42
  • 10¥5.11
  • 100¥3.77
  • 250¥3.74
  • 500¥3.52
产品属性
描述MOSFET OptiMOS 3 PWR-TRANS N-CH 30V 35A漏极连续电流35 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.0096 Ohms配置Single
最大工作温度+ 175 C安装风格Through Hole
封装 / 箱体TO-220封装Tube
下降时间2.6 ns最小工作温度- 55 C
功率耗散42 W上升时间3.2 ns
工厂包装数量500典型关闭延迟时间16 ns
零件号别名IPP096N03LGHKSA1 IPP096N03LGXK SP000254737

ipp096n03l g的相关型号: