| 描述 | MOSFET OptiMOS 3 Power Transistor | 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 10.7 mOhms at 10 V |
|---|---|---|---|
| 配置 | Single | 最大工作温度 | + 175 C |
| 安装风格 | Through Hole | 封装 / 箱体 | PG-TO220-3 |
| 封装 | Tube | 下降时间 | 11 ns |
| 栅极电荷 Qg | 65 nC | 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 300 W | 上升时间 | 26 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 41 ns | 零件号别名 | IPP110N20NA IPP110N20NAAKSA1 |
