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  • IPS05N03LB G

IPS05N03LB G

  • 制造商:-
  • 现有数量:0现货
  • 价格:停产
  • 系列:OptiMOS?
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
产品属性
描述MOSFET N-CH 30V 90A TO251-3FET 类型N 通道
技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)90A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)5 毫欧 @ 60A,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2V @ 40μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)25 nC @ 5 VVgs(最大值)±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)3200 pF @ 15 VFET 功能-
功率耗散(最大值)94W(Tc)工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型通孔供应商器件封装PG-TO251-3-11
封装/外壳TO-251-3 短截引线,IPak

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