| 描述 | MOSFET N-CH 25V 50A TO251-3 | FET 类型 | N 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 25 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 50A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 8.8 毫欧 @ 30A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 20μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 13 nC @ 5 V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1642 pF @ 15 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 63W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | PG-TO251-3-11 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短截引线，IPak |
【International Rectifier】IPS1011PBF,IC IPS SW LOW SIDE TO-220-3
【International Rectifier】IPS1011RPBF,IC SWITCH IPS 1CH LOW SIDE DPAK
【International Rectifier】IPS1011RTRLPBF,IC IPS SW LOW SIDE DPAK
【International Rectifier】IPS1011RTRRPBF,IC SWITCH IPS 1CH LOW SIDE DPAK
【International Rectifier】IPS1011SPBF,IC SWITCH IPS 1CH LOW SIDE D2PAK
【International Rectifier】IPS1011STRLPBF,IC IPS SW LOW SIDE D2PAK
