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IPS118N10N G

制造商：-
产品种类：MOSFET
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：100 V
闸/源击穿电压：+/- 20 V

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参考价格

数量单价
720￥6.90
1000￥5.44
2000￥4.61
5000￥4.38
10000￥4.20

产品属性

描述	MOSFET N-KANAL POWER MOS	漏极连续电流	75 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）	11.8 mOhms	配置	Single
最大工作温度	+ 175 C	安装风格	Through Hole
封装 / 箱体	TO-251	封装	Tube
下降时间	8 ns	最小工作温度	- 55 C
功率耗散	125000 mW	上升时间	21 ns
工厂包装数量	1500	典型关闭延迟时间	32 ns
零件号别名	IPS118N10NGXK SP000680974

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