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IPS65R650CEAKMA1

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产品属性

描述	MOSFET N-CH 700V 10.1A TO251-3	FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）	漏源电压（Vdss）	700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	10.1A（Tc）	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	650 毫欧 @ 2.1A，10V	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	3.5V @ 210μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）	23 nC @ 10 V	Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	440 pF @ 100 V	FET 功能	-
功率耗散（最大值）	86W（Tc）	工作温度	-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	通孔	供应商器件封装	PG-TO251-3
封装/外壳	TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA

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