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IPSH6N03LBG

制造商：-
产品种类：MOSFET
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：30 V
闸/源击穿电压：+/- 20 V

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产品属性

描述	MOSFET N-KANAL POWER MOS	漏极连续电流	50 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）	9.3 m Ohms	配置	Single
最大工作温度	+ 175 C	安装风格	Through Hole
封装 / 箱体	TO-251	封装	Tube
下降时间	4 ns	最小工作温度	- 55 C
功率耗散	83 W	上升时间	6 ns
典型关闭延迟时间	25 ns

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