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IPU103N08N3 G

制造商：-
产品种类：MOSFET
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：80 V
闸/源击穿电压：+/- 20 V

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产品属性

描述	MOSFET N-KANAL POWER MOS	漏极连续电流	50 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）	10.3 mOhms	配置	Single
最大工作温度	+ 175 C	封装 / 箱体	TO-251
封装	Tube	最小工作温度	- 55 C
功率耗散	100000 mW	工厂包装数量	1500
典型关闭延迟时间	22 ns	零件号别名	IPU103N08N3GXK

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