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IPU25CN10N G

  • 制造商:-
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:100 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 20 V
产品属性
描述MOSFET N-CH 100V 35A漏极连续电流35 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)25 m Ohms配置Single
最大工作温度+ 175 C安装风格Through Hole
封装 / 箱体TO-251封装Tube
下降时间3 ns正向跨导 gFS(最大值/最小值)38 S / 19 S
最小工作温度- 55 C功率耗散71 W
上升时间4 ns工厂包装数量1500
典型关闭延迟时间13 ns

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