| 描述 | MOSFET N CH 650V 68.5A PG-TO247 | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 标准型 | 漏极至源极电压(Vdss) | 650V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 68.5A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 41 毫欧 @ 33.1A, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4.5V @ 3.3mA | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 54nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 8400pF @ 100V | 功率 - 最大 | 500W |
| 安装类型 | * | 封装/外壳 | * |
| 供应商设备封装 | * | 包装 | * |
| 其它名称 | IPW65R041CFDFKSA1 |
