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  • IQE022N06LM5ATMA1

IQE022N06LM5ATMA1

  • 制造商:-
  • 现有数量:0现货查看交期
  • 价格:在售
  • 系列:OptiMOS? 5
  • 包装:剪切带(CT)
  • 产品状态:在售
产品属性
描述TRENCH 40<-<100VFET 类型N 通道
技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)24A(Ta),151A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)2.2 毫欧 @ 20A,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.3V @ 48μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)53 nC @ 10 VVgs(最大值)±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)4420 pF @ 30 VFET 功能-
功率耗散(最大值)2.5W(Ta),100W(Tc)工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装PG-TSON-8-5
封装/外壳8-PowerTDFN

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