| 描述 | IC MOSFET DRIVER N-CHAN 8-SOIC | 输入类型 | 自振荡 |
|---|---|---|---|
| 延迟时间 | 60ns | 电流 - 峰 | 2A |
| 配置数 | 1 | 输出数 | 1 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动） | - | 电源电压 | 12 V ~ 18 V |
| 工作温度 | -25°C ~ 125°C | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 供应商设备封装 | 8-SOICN |
| 包装 | 管件 |
两种封装选择，两者均不含铅（pbf），符合“电子产品有害物质限制指令”（rohs）。产品基本规格如下： 产品编号 封装 vcc (v) vfet (v) 最高频率sw. (khz) 栅极驱动 +/- (a) vgate 箝位 (v) 最大休眠电流 (ua) ir1167aspbf so-8 20 <=200 500 +2/-7 10.7 200 ir1167bspbf so-8 20 <=200 500 +2/-7 14.5 200 ir1167apbf dip-8 20 <=200 500 +2/-7 10.7 200 ir1167bpbf dip-8 20 <=200 500 +2/-7 14.5 200 与 ir1167 smart rectifier配合应用的 mosfet实例 ...
【International Rectifier】IR1167BSTRPBF,IC SMART SECONDARY DRIVER 8-SOIC
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