IR2103

wm1h/l设置的值越小，会减小pwm输出的分辨率但是会增大输出频率。 采用pwm工作模式1对adμc831工作寄存器设置初值，程序如下所示: pwmcon=0x13; pwm1h=0x10; pwm1l=0x00; pwm0h=(unsigned char)((dacdata&0x0fff)/256); pwm0l=(unsigned char)(dacdata%256); 3.2 光耦部分 光耦部分起到隔离和电平转换的作用，因为单片机输出的是ttl电平(0~5v)，而驱动部分采用的是ir2103，它的电源要求是10v~20v，电路中采用了12v电源，所以要求的输入电平在0~12v之间。在此选用高速光耦6n136芯片。因为6n136的绝缘电压是2500v(最小值);具有可兼容的ttl电路;逻辑低电平和逻辑高电平的传输延迟时间都是0.5μs(带宽2mhz);供电电压是－0.5v~15v，其耐压和速度都符合电路的要求。 3.3 驱动部分 电路中驱动采用的是ir2103芯片，ir2103芯片是ir公司专为驱动功率开关管而设计的，是一种高电压高速的功率mosfet和igbt驱动器，它有两 ...

的电压差， 这就需要采用升压电路。 2.3 h 桥控制器 在h桥的驱动中， 除了考虑上管的升压电路外， 还要考虑到在h桥同臂的上管和下管（如图5 中的q1 和q3）不能同时导通。 如果上管和下管同时导通， 相当于从电源到地短路， 可能会烧毁mos 管或电源， 即使很短时间的短路现象也会造成mos的发热。 在功率控制中一般采用在两次状态转变中插入"死区"的方法来防止瞬时的短路。在选择h 桥控制器的时候最好满足上述两种逻辑条件， 又用足够大的驱动电流来驱动nmos。 本系统中采用ir2103 作为nmos 控制器， ir2103 内部集成升压电路， 外部仅需要一个自举电容和一个自举二极管即可完成自举升压。 ir2103 内部集成死区升成器， 可以在每次状态转换时插入"死区", 同时可以保证上、下两管的状态相反。 ir2103 和nmos 组成的h 桥半桥电路如下图6 所示： 图6 ir2103 和nmos 管构成的h 桥半桥电路 由ir2103 的应用手册中得知自举电容选择取决于以下几个因素：1. 要求增强 mgt 的门电压， 2. 用于高端驱动电路的 iqbs ...

以此减小开关的损耗，同时也避免了因变压器漏感而带来的电压尖峰。后级采用成熟简单的buck电路拓扑，实现降压并用此来满足三段式充电的要求。 要实现不对称半桥的软开关，不对称半桥的参数设计需要满足以下2个条件，即： 式中：zn为特性阻抗，；d为开关管q1的占空比；c为开关管q1和q2的寄生电容；ωk为谐振角频率；lk为变压器初级漏感；i0为负载总电流；td为死区时间；n为变压器初、次级匝比。 2.2 驱动电路 不对称半桥驱动电路，如图3所示。驱动集成芯片采用ir公司的ir2103，其输出级作为推挽驱动输出，以直接耦合的方式与主电路的开关管相连接，由ho和lo的输出分别作为驱动桥式电路的上、下桥臂。为了实现上桥臂驱动电路的地电位与主电路的同步浮动，采用由db和cb组成的外接自举电路。 二极管db的耐压决定式为： 式中：uc为驱动电源的电压；ud为不控整流输出的电压。db的电流容量，jdm的决定式为： 式中：fs为器件开关频率；qg为mosfet栅荷。 自举电容应能保证器件开通具有足够的栅荷，则其容量需满足： 式中：kb为安全系 ...

采用ir2103的驱动电路如下图所示： 来源:lover ...

请问 ir2103 大概多少钱谢谢！ ...

求教：请问ir2103电路怎么接啊急用啊大家有没有这方面的资料啊先谢谢了 ...

我对比测了一下没有发现功率管坏我对比测了一下没有发现功率管坏,只是89c2051有三个脚输出分别到三个ir2103,其中有一个脚同另两个不一样,这脚是低电平0v,另两个是5v,这样不知是否正常,89c2051外围上拉电阻51k也好,ir2103我也调换试了,会不会是89c2051坏啦???请指教 ...

这样不知是否正常我对比测了一下没有发现功率管坏,只是89c2051有三个脚输出分别到三个ir2103,其中有一个脚同另两个不一样,这脚是低电平0v,另两个是5v,这样不知是否正常,89c2051外围上拉电阻51k也好,ir2103我也调换试了,会不会是89c2051坏啦???请指教 ...

干吗不用ir2103做桥驱动？我用着满好。我认为你直接用光藕去推mos恐怕波形的时序保证不了。 ...