| 描述 | IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 16-SOIC | 输入类型 | 非反相 |
|---|---|---|---|
| 延迟时间 | 120ns | 电流 - 峰 | 2.5A |
| 配置数 | 1 | 输出数 | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动） | 500V | 电源电压 | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） | 供应商设备封装 | 16-SOIC |
| 包装 | 管件 | 其它名称 | *IR2110S |
d1、vmid2、vmid3。对于此三种电压，由于不知在此电压输出之前out端的电压与要输出的电压之间的大小关系，故采用上拉下顶的箝位技术，将out端电位箝位到要输出的电压，故vmid1、vmid2、vmid3模块需要两个控制信号。而vmax是最高电压，vmin是最低电压，它们与out端电压的关系分别已确定，故无需采用箝位技术，只需一个控制信号。 图4示出vmid1电压产生模块的内部电路原理图。 图4 vmid1电压产生模块内部电路原理图 该驱动电路采用电压转换芯片ir2110s，将5v的逻辑电压转换为15v的高压开关管控制电压。mh1和ml1采用高速nmos开关管irfz44n实现传输控制，mh2和ml2采用高耐压noms开关管irf840实现高压输出控制。 输入信号sig1控制ir2110s的上通道输出hout。在rh1、ch1和txh的共同作用下，hout信号传输到txh的原边，进一步耦合到txh的副边，并利用nmos管mh1和二极管dh1进行传输控制。当控制信号为高，mh2导通，高压v1由其漏极传输到其源极并输出。下通道工作原理基本相同，高压v1由其 ...
【International Rectifier】IR2110SPBF,IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 16SOIC
【International Rectifier】IR2110STR,IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 16-SOIC
【International Rectifier】IR2110STRPBF,IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 16SOIC
【International Rectifier】IR2111PBF,IC DRIVER HALF-BRIDGE 8-DIP
【International Rectifier】IR2111S,IC DRIVER HALF-BRIDGE 8-SOIC
【International Rectifier】IR2111SPBF,IC DRIVER HALF BRIDGE 8SOIC
【International Rectifier】IR2111STR,IC DRIVER HALF-BRIDGE 8-SOIC