描述 | IC DRVR HALF BRDG SELF-OSC 8-DIP | 输入类型 | 自振荡 |
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延迟时间 | - | 电流 - 峰 | 200mA |
配置数 | 1 | 输出数 | 2 |
高端电压 - 最大(自引导启动) | 600V | 电源电压 | 10 V ~ 15.6 V |
工作温度 | -40°C ~ 125°C | 安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | 8-DIP(0.300",7.62mm) | 供应商设备封装 | 8-DIP |
包装 | 管件 | 其它名称 | *IR2153 |
可以有600v隔离,见图1黄色粗线所示。这是因为当今不少照明技术均与高电压功率mosfet技术相联在一起的,其分离产品系列包括大量不同型号的器件,范围从桥式整流器和肖特基二极管到功率mosfet和igbt。随著高压隔离结ic技术的加入,从而为功率电子产业的无限设计打开了大门。 高压隔离结ic技术的特征是,使高端及低端的驱动功能融合于单一芯片内,以控制多种开关转换器的拓扑结构。这些拓扑结构之一是广泛应用在电子镇流器中的半桥结构。这使得该技术非常适合于电子镇流器产业。 2.12萤光灯照明的 ir2153与ir2166控制ic *ic ir2153把标准555时基电路与高端和低端半桥驱动器结合在一起。这个ic与高压mosfet一起,很快就被照明技术采用,并成为了电子镇流器的一个标准控制器,可以作为未来照明设备控制ic发展的基础。由于ir2153被广泛应用并作改进成为irs2153d,其顶部更加坚实耐用,且集成了必要的自举二极管。 *ir2156和ir2166控制ic是在ir2153基础上改进的镇流器技术.它集成了另外的功能到ir2153中,这是更加完善控制萤光灯的要求。它们包括最大化灯寿命和 ...
镇流器单一集成电路,具有各种主要的镇流器和安全功能,如触发故障保护和灯丝损毁保护。该器件还可用外部关断信号自动复位,或在受控状态下关掉镇流器。 ir2156器件的内置安全和操作功能,有助于节省额外的电路,并降低系统的整体成本。其预热频率、死区和预热时间可根据不同电灯类型和操作电压的需要,通过r-c网络进行编程,大幅提高可制造性。举例说,采用了ir2156的紧凑型萤光灯,可通过电阻器和电容器进行编程,设定预热和运行效率。 ir公司全球销售高级副总裁曾海邦表示:?r2156集成电路秉承了ir2153的成功技术,大大简化萤光灯镇流器的设计。该产品把精简设计的概念进一步发扬光大,减少外部元件数量达25%。” ir2156集成电路有14引脚dip和扁平soic两种封装。 ...
摘要:介绍了一个基于自激式半桥驱动器ir2135的荧光灯电子镇流器电路,着重介绍了灯丝预热和启动保护等单元电路的构成和的特点,并给出了详细电原理图。 关键词:电子镇流器;功率因数校正;灯丝预热;重启动 引言 荧光灯的发光效率优于白炽灯已成为不争的事实,为此,近20年来,电子镇流器在世界范围内得到了迅速的普及和发展,各半导体厂家推出了众多的用于电子镇流器的驱动电路,本文介绍的电子镇流器基于ir公司开发的ir2153驱动器和摩托罗拉公司的mc33262功率因数控制器,是一种结构简单,成本低廉,可靠性高的解决方案。 1 自激式半桥驱动器ir2153介绍 ir2153是在ir2155和ir2151基础上推出的改进型的vmos和igbt栅极驱动器,它将高压半桥驱动器和一个类似于555时基电路的前端振荡器集成在一个8脚芯片上,使其成为一款功能更多,更易于使用的功率驱动ic芯片。如图1所示,脚ct兼有保护关断功能,可以用一个低电压信号使驱动器停止输出。另外,输出脉冲的宽度保持相等,一旦vcc上升到欠压闭锁阈值,驱动器能以更加稳定的频率开始起振。通过降低 ...
600v隔离,见图1黄色粗线所示。这是因为当今不少照明技术均与高电压功率mosfet技术相联在一起的,其分离产品系列包括大量不同型号的器件,范围从桥式整流器和肖特基二极管到功率mosfet和igbt。 图1 高压隔离结ic技术示意图(灰色粗线所示为高压隔离井) 高压隔离结ic技术的特征是,使高端及低端的驱动功能融合于单一芯片内,以控制多种开关转换器的拓扑结构。这些拓扑结构之一是广泛应用在电子镇流器中的半桥结构。这使得该技术非常适合于电子镇流器产业。 2.1.2 荧光灯照明的 ir2153与ir2166控制 ic *ic ir2153把标准555时基电路与高端和低端半桥驱动器结合在一起。这个ic与高压mosfet一起,很快就被照明技术采用,并成为了电子镇流器的一个标准控制器,可以作为未来照明设备控制ic发展的基础。由于ir2153被广泛应用并作改进成为irs2153d,其顶部更加坚实耐用,且集成了必要的自举二极管。 *ir2156和ir2166控制ic是在ir2153基础上改进的镇流器技术,它集成了另外的功能到ir2153中,这是更加完善控制荧光灯的要求。它们包括最大 ...
放置在隔离的“井”里面,这个“井”到低压电路可以有600v隔离。 图1 高压隔离结ic技术示意图 这是因为当今不少照明技术均与高电压功率mosfet技术相联在一起的,其分离产品系列包括大量不同型号的器件,范围从桥式整流器和肖特基二极管到功率mosfet和igbt。 高压隔离结ic技术的特征是,使高端及低端的驱动功能融合于单一芯片内,以控制多种开关转换器的拓扑结构。这些拓扑结构之一是广泛应用在电子镇流器中的半桥结构。这使得该技术非常适合于电子镇流器产业。 荧光灯照明的 ir2153与ir2166控制 ic ic ir2153把标准555时基电路与高端和低端半桥驱动器结合在一起。这个ic与高压mosfet一起,很快就被照明技术采用,并成为了电子镇流器的一个标准控制器,可以作为未来照明设备控制ic发展的基础。由于ir2153被广泛应用并作改进成为irs2153d,其顶部更加坚实耐用,且集成了必要的自举二极管。 ir2156和ir2166控制ic是在ir2153基础上改进的镇流器技术,它集成了另外的功能到ir2153中,这是更加完善控制荧光灯的要求。它们包括最大化灯 ...
图1 采用pfc+非稳压隔离变换器组合的原理框图 这样就能将非稳压隔离变换器看成pfc的一部分,而pfc则变成隔离型pfc。由于隔离型pfc具有隔离功能、电压关闭功能和稳压功能,就使其成为真正意义上的隔离型开关稳压电源。 采用非pwm工作方式所得到的最大占空比可以使全桥电路中的开关管在“零电压”下导通,即实现“零电压开关”。这样能提高电路工作的可靠性,进一步减小损耗,提高效率。 irs2453功能简介 irs2453自振全桥变换器是美国国际整流器公司在自振高压桥式驱动器ir2153的基础上发展起来的。 irs2453自振全桥驱动器具有较高的工作电压(600v),内部有一个类似于555定时器的频率可设置的振荡器,全桥栅极驱动可保证其精确的死区时间。在此芯片内部,包含mosfet组成的全桥电路。这样的构造,一方面节省了外部器件,降低了成本;另一方面,节省了空间,使整个电源的体积缩小。更重要的是,在芯片内部,开关管工作的占空比固定。在该全桥电路前端结构中,各开关管的占空比可接近50%,这使得全桥电路中开关管的占空比可达到95%,甚至更高。而通常情况下,开关管的最大占空比小 ...
mosfet管ir2153应用电路,本电路為半橋式電路的驅動控制部份。 金属-氧化层-半导体-场效晶体管,简称金氧半场效晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, mosfet)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。mosfet依照其"通道"的极性不同,可分为n-type与p-type的mosfet,通常又称为nmosfet与pmosfet,其他简称尚包括nmos fet、pmos fet、nmosfet、pmosfet等。 来源:bill ...
【International Rectifier】IR21531,IC DRVR HALF BRDG SELF-OSC 8-DIP
【International Rectifier】IR21531D,IC DRVR HALF BRDG SELF-OSC 8-DIP
【International Rectifier】IR21531DPBF,IC DVR HALF BRDG SELF-OSC 8-DIP
【International Rectifier】IR21531PBF,IC DVR HALF BRDG SELF-OSC 8-DIP
【International Rectifier】IR21531S,IC DRVR HALF BRDG SELF-OSC 8SOIC
【International Rectifier】IR21531SPBF,IC HALF BRDG DVR SELF-OSC 8SOIC
【International Rectifier】IR21531STR,IC DRVR HALF BRDG SELF-OSC 8SOIC
【International Rectifier】IR21531STRPBF,IC DRIVER HALF BRIDGE OSC 8SOIC