| 描述 | MOSFET N-CH 135V 129A TO263-3 | FET 类型 | N 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 135 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 129A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 8.4 毫欧 @ 77A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 270 nC @ 10 V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 9700 pF @ 50 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 441W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PG-TO263-3-2 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
【International Rectifier】IRF1404,MOSFET MOSFET, 40V, 162A, 4 mOhm, 160 nC Qg, TO-220AB
【International Rectifier】IRF1404L,MOSFET N-CH 40V 162A TO-262
【International Rectifier】IRF1404LPBF,MOSFET N-CH 40V 162A TO-262
【International Rectifier】IRF1404PBF,MOSFET N-CH 40V 202A TO-220AB
【International Rectifier】IRF1404S,MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK
【International Rectifier】IRF1404SPBF,MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK