| 描述 | MOSFET N-CH 75V 100A TO-262 | FET 特点 | 标准型 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 75V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 100A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 7.8 毫欧 @ 78A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 250nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 5600pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 3.8W | 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I?Pak，TO-262AA | 供应商设备封装 | TO-262 |
| 包装 | 管件 | 其它名称 | *IRF1407L |
考电压vref比较利用sg3525控制芯片放大得到的误差信号ve与锯齿波信号经pwm比较器比较，输出一定占空比的系列脉冲控制开关管，从而稳定输出电压。 图8 闭环控制原理图 3 仿真分析 仿真参数：vin=300v，f=50khz， d=0.4，v0=5v，p0 =100w，c1=c2=600uf，c3=20uf，c4=2uf，c5=1000uf，l1=l2=30uh，l3=10uh；开关管选用irf255，rds=0.2ω，id=21a，vdss=250v，整理管选用irf1407l，rds=0.01ω，id=100a，vdss=75v，变压比n=26。 图9 变压器原边电压 图10 变压器原边电流 图11 整流管vq3电压 图12 整流管vq3电流 图13 未加l3输出电感l1及l2电流 图14加l3后输出电感l1及l2电流 图15 输出电流 可以看出，图 14中由于加了l3电感，电流纹波比较图 13明显减小， 其余各点仿真波形非常接近理想情况下的工作波形，验证了该拓扑结构的高效性。 4 结束语 本文研究了一种 ...
【International Rectifier】IRF1407PBF,MOSFET N-CH 75V 130A TO-220AB
【International Rectifier】IRF1407S,MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
【International Rectifier】IRF1407STRLPBF,MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
【International Rectifier】IRF1407STRR,MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
【International Rectifier】IRF1407STRRPBF,MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
【International Rectifier】IRF1503LPBF,MOSFET N-CH 30V 75A TO-262