| 描述 | MOSFET 4N-CH 25V 16A/20A 41PQFN | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
|---|---|---|---|
| 配置 | 4 个 N 通道 | FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss） | 25V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 16A（Tc），20A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.9 毫欧 @ 27A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 35μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 15nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1310pF @ 13V |
| 功率 - 最大值 | - | 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 41-PowerVFQFN |
| 供应商器件封装 | 41-PQFN（6x8） |
