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  • IRF3717TRPBF-1

IRF3717TRPBF-1

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  • 价格:停产
  • 系列:HEXFET?
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
产品属性
描述MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOICFET 类型N 通道
技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)20A(Ta)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)4.4 毫欧 @ 20A,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.45V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)33 nC @ 4.5 VVgs(最大值)±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2890 pF @ 10 VFET 功能-
功率耗散(最大值)2.5W(Ta)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装8-SOIC
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

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