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IRF510A_Q

描述MOSFET 100V .2 Ohm 33W漏极连续电流5.6 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.4 Ohms配置Single
最大工作温度+ 175 C安装风格Through Hole
封装 / 箱体TO-220AB封装Tube
下降时间18 ns正向跨导 gFS(最大值/最小值)0.004 S
最小工作温度- 55 C功率耗散33 W
上升时间14 ns典型关闭延迟时间28 ns

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