| 描述 | MOSFET N-CH 100V 14A TO-220AB | FET 特点 | 标准型 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 100V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 160 毫欧 @ 8.4A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 26nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 670pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 88W | 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 | 供应商设备封装 | TO-220AB |
| 包装 | 管件 | 其它名称 | *IRF530IRF530IR |
业中获得广泛应用的主要原因。另外，一只继电器可以用于低电压电子控制下交流大电压的切换，因为控制电路和负载电路之间具有高度的隔离能力。 然而，尽管继电器技术已很成熟，性能也很可靠，但继电器毕竟是机械装置，容易磨损和出现其它故障。继电器触点的电气耐久性限制了开关次数。当一个继电器触点打开时，感性负载中的电流中断会产生火花，使触点的性能恶化。当切换大电流时，继电器可能会缩短使用寿命，一般它们的开关次数也只有10万次。 串联的一对mosfet可以替代普通继电器，作为交流电路中的一个触点（图1）。一对irf530器件可以在高达±100v的峰值电压下的电路中作负载切换。ic1是一个不稳定振荡器，它是建立在著名的555定时器上的，提供一个方波电压源驱动mosfet对的栅极。电阻器r1和r2为定时电容器c1提供充、放电路径。555的输出级可以提供和吸收几十毫安电流，并足以提供驱动10级同时开关栅极的电流（每个最大消耗电流为5 ma）；555 的输出在最大0.75v的接通状态电压下最大可吸收50 ma电流。555的输出驱动一个分布式总线，为一组脉冲变压器t1和t2提供能量。电容器c3与变压器初级串联，消除了会出 ...
断路门限就可以增加一倍，技术上就不符合标准的要求。其它 802.3af参数就不受影响：检测和分类仍然符合标准的要求；而交流断路门限(仅仅对ltc4259)不受传感器电阻变化的影响。因为所提高的直流门限存在断开非常低功率的802.3af pd的风险，尽管这种风险比较小；对于具备802.3af pd的互通性，推荐采用交流断路。 要改变每个通道的其它两个元件，以处理额外的电流。典型情况下，mosfet q4要用较大的器件取代，以在电流限制期间承受更大的功率。在这种应用中，采用d2pak封装的irf530类器件就足够了。此外，也要指定poe数据磁性模块以承载更高的电流。几家磁性元件供应商最近推出了具有足够电流能力的器件。 通过增加两个新元件，我们可以在符合802.3af的工作和大功率条件两者之间进行切换。在这种情形下，rs4要设置为原始的 0.5ω数值，并要选择rs4b，以便rs4 ii rs4b提供期望的更大电流。把rs4b设置为0.5ω(与rs4的数值相同)，就可以把大功率模式设置为802.3af的功率电平的两倍。 当q4b关闭的时候，端口工作在符合802.3af标准的模 ...
摘 要： 介绍了采用eda 仿真软件proteus 开发的数控恒流源仿真系统， 分析了系统的硬件电路设计方案和主要程序代码。 该系统主要包括矩阵键盘输入模块、数控模块、恒流电路模块、电流采样模块、串口通信模块、pc 监控界面。该恒流源以单片机为核心， 大功率场效应管irf530 作为恒流器件， 采用10 位分辨率的a/ d 和d/ a 芯片， 输出电流为20~ 2 000 ma, 最小分辨率2 ma, 可以同时实现本机按键控制和pc 远程控制。仿真结果表明该设计方案可行， 且可以达到比较好的稳定性和较高的精度。 0 引 言 在测试计量、半导体性能测试等许多工业和科学实验领域都会用到恒流源， 研究并设计一款智能化的高精度恒流源具有十分广泛的应用价值。但在一个电子产品研制过程中， 必须反复进行设计、试制和调试， 而实物试制和调试是一项费时和费力的工作， 往往是事倍功半， 导致系统开发周期长， 成本高。随着大规模集成电路和计算机的迅速发展， 计算机仿真技术彻底改变了以往电子系统设计中完全依靠人工进行参数计算、电路实验、实物试制和系统调试的传统设计方法， 利用eda 仿真软件， 对 ...
流程图和中断流程图如图1(5，6)所示。 2 提高效率 如何提高开关电源的效率显得尤为重要。在提高开关电源的效率上采取了如下措施。 2．1 dc-dc转换电路中电感在很大程度上影响系统的效率。市场上很难买到符合要求的电感，在绕制时对电感磁芯和漆包线的要求非常高，应将输出电压纹波降到最小。 2．2 dc-dc转换电路中开关管采用mos管取代双极性晶体管，串联栅极电阻将衰减由mos输入电容、栅一源电路引线电感所产生的高频寄生振荡。可有效提高转换效率，若选用几个mos管irf530并联，可进一步提高效率。 2．3续流二极管选择肖特基二极管，其开启时间短、管压降小，可使电感存储能量大，有利于提高电源转换效率。 2．4二极管、电感和mos管的栅极最好尽可能地靠近焊接，这样可以减少损耗，有利于提高系统的效率。 3 测试数据和分析 3．1 电压调整率su 电压调整率su指u2在指定范围内变化时，输出电压u0的变化率。用自耦调压器调节u2从15v到21v之间变化，在输出电流为2a时候，测量出输出电压，从而得到电压调整率su。 3．2 负载 ...
用三级场效应管，全部选用mosfet。每级放大均采用ab类功率放大模式，且均选用推挽式，以保证功率放大器模块可以宽带工作。考虑到供电电源通常使用正电压比较方便，因此选用增强型mos场效应管。另外为了展宽频带和输出大功率，采用传输线宽带匹配技术和反馈电路，以达到设计要求。 由于本射频功率放大器输出要求为大功率脉冲式发射，因此要求第一、二级使用的mosfet应具备快速开关切换，以保证脉冲调制信号的下降沿和上升沿完好，减少杂波和谐波的干扰。设计中第一、二级功率放大选用mosfet为irf510和irf530。最后一级功放要求输出脉冲功率达到1200w，为避免使用功率合成技术，选用mosprt mrfl57作为最后的功率输出级。所设计的射频脉冲功率放大器电路原理图如图1所示。 发射通道的建立都是在信号源产生射频信号后经过几级的中间级放大才把信号输入到功率放大级，最后通过天线把射频信号发射出去。 图1中，输入信号为20～21dbm，50ω输入；工作电压为15v和一48v，其中15v为第一、二级功放提供工作电压，48v为最后一级功放提供工作电压；6v稳压输出可以使用15v或48v进行稳压 ...
)/8llrx(max) （26）假设在整个工作过程中电容crx电压变化不超过5％输入电压vin，则有crx≥ilrx(max)ts/(4×5%vin) （27）2 实验结果利用以上分析应用于一48v/6v实验电路，该电路的主要数据为：1）输入直流电压vin=48v；2）输出直流电压vo=6v；3）满载输出电流io(max)=40a；4）主电路开关频率fs=50khz；5）死区时间td=200ns；6）变压器变比n=10∶2；7）变压器漏感llk=2.2μh；8）主开关管采用irf530，输出结电容coss=215pf。根据以上分析，利用式（23）～式（27），辅助谐振支路的参数为lrx=50μh，crx=5μh图5，图6及图7是该实验电路滞后臂在开关过程中的开关管电压vds和驱动电压vgs的实验波形。由图可见，开关管在全部负载范围内实现了零电压开关。3 结语本文所讨论的改进型全桥移相zvspwmdc/dc变换器不仅保持了全桥移相pwm电路拓扑结构简洁、控制方式简单的优点，而且保证了滞后臂在全负载范围内实现零电压开关。同时，辅助支路是无源的，容易实现且基本上不影响变换器的可靠 ...
，n越大dac的分辨率越高，但是nt也越大,即 pwm的周 期或者式(2)中的1次谐波周期也越大，相当于1次谐波的频率也越低，需要截止频率 很低的低通滤 波器，dac输出的滞后也将增加。一种解决方法就是使t减少，即减少单片机的计数脉冲 宽度（这往往需要提高单片机的工作频率），达到不降低1次谐波频率的前提下提高精度。 在实际中，t的减少受到单片机时钟和pwm后续电路开关特性的限制。如果在实际中需要 微秒级的t，则后续电路需要选择开关特性较好的器件，以减少pwm波形的失真，如图4 中的电子开关t1(irf530)。 2 pwm到dac电压输出的电路实现 根据图2的结构，图3是最简单的实现方式。图3中，pwm波直接从mcu的pwm引脚输出 ，该电路没有基准电压，只通过简单的阻容滤波得到dac的输出电压。r1和c1的具 体参数可根据式(2)的第2部分的一次谐波频率来选择，实际应用中一般选择图2中阻容滤波 器的截止频率为式(2)的基波频率的1/4左右。 图3的pwm波的vh和vl受到mcu输出高低电平的限制，一般情况下vl不 等于0 v，vh也不等于vcc。例如，对于单片机at89c5 ...
tl431和irf530的资料有没有查过?tl431和irf530的资料有没有查过? ...
irf530岂能不炸改善效率，这样可否 ...
用irf530就可以了，没必要用630。这是4相单极性驱动电路。楼上说的298是双极性桥式驱动，不是一回事。电路的主要问题是漏极与+12v间要接保护二极管。另外，一般步进电机绕组都应该串联限流电阻，具体串多大，要看电机的参数而定。 ...
问大家一个直流放大的问题，请大侠指教，谢谢各位了！现在在做一个ad，da模块，其中ad芯片选的（0－10v）直流电压输入，da芯片选的（0－10v）直流电压输出，现在需要两个直流放大模块，其中一个与ad芯片连接，输入为（0－120v）的电压，输出为ad芯片的输入电压，即（0－10v）的电压。另一个直流放大模块与da芯片连接，其中输入为da芯片的输出（0－10v）的电压，输出为（0－120v）的电压。使用irf530三极管(pnp/100v/14a/75w)，通过差动放大电路试验，发现外围电阻的选取是个疑问，通过很多次外围电阻的选择，放大倍数非常不稳定，或者根本没有放大像类似的（0－10v）到（0－120v）的直流放大电路，一般是通过自己设计电路完成，还是市场上就有现成的直流放大器，可以直接完成该放大功能，最近问了很多人，都没有明白 请大家指教，谢谢！ ...
请教:irf530 的功耗问题用irf 530作为开关使用,开时栅源电压为4.5v左右,是不是计算功耗时只须计算漏与源之间的电流即可. ...
【Fairchild Semiconductor】IRF530_R4941,MOSFET USE 512-IRF530A
【International Rectifier】IRF5305,MOSFET MOSFET, P-CHANNEL, -55V, -31A, 60 mOhm, 42 nC Qg, TO-220AB
【International Rectifier】IRF5305L,MOSFET P-CH 55V 31A TO-262
【International Rectifier】IRF5305LPBF,MOSFET P-CH 55V 31A TO-262
【International Rectifier】IRF5305PBF,MOSFET P-CH 55V 31A TO-220AB
【International Rectifier】IRF5305SPBF,MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
【International Rectifier】IRF5305STRLPBF,MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
