您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > FET - 单 > irf5803d2tr
  • IRF5803D2TR

IRF5803D2TR

描述MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOICFET 特点二极管(隔离式)
漏极至源极电压(Vdss)40V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C112 毫欧 @ 3.4A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs37nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds1110pF @ 25V
功率 - 最大2W安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)供应商设备封装8-SO
包装带卷 (TR)

irf5803d2tr的相关型号: