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IRF610B_FP001

描述MOSFET 200V Single漏极连续电流3.3 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)1.5 Ohms配置Single
最大工作温度+ 150 C安装风格Through Hole
封装 / 箱体TO-220封装Tube
下降时间25 ns正向跨导 gFS(最大值/最小值)2.4 S
最小工作温度- 55 C功率耗散38 W
上升时间35 ns工厂包装数量50
典型关闭延迟时间20 ns

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