| 描述 | MOSFET N-CH 200V 5.2A TO-220AB | FET 特点 | 标准型 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 200V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 5.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 800 毫欧 @ 3.1A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 14nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 260pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 50W | 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 | 供应商设备封装 | TO-220AB |
| 包装 | 管件 | 其它名称 | *IRF620IRF620IR |
55v/98a irfr024ntrpbf 55v/17a irfz44npbf 55v/49a irf9z34npbf -55v/17a irf1010epbf 60v/81a irf540npbf 100v/44a irf3315pbf 150v/21a irf6215pbf -150v/13a irf9640pbf -200v/-11a irfr220npbf 200v/5a irf620 200v/5.2a irf630npbf 200v/9.5a irf640npbf 200v/18a irfb38n20dpbf 200v/44a irfp260npbf 200v/50a irfp264pbf 250v/38a irf740pbf 400v/10a irf830pbf 500v/4.5a irf840pbf 500v/8a irfp450pbf ...
这不能笼统讨论早期mos以及大电流/高压mos的开启电压较高，新一代的低压/小电流mos管的vgs低一些。具体看厂家的datesheet上的vgs曲线。irf830是早期的高压mos，vgs自然比较高；irf620就可以低一些。在较大电流应用时，也需要加大的vgs,主要原因是vmos导通是从点到面的，若vgs过小，就仅仅实现点导通，会烧毁vmos的。新一代的低压低阻vmos一般在5~10v就可以获得很好的效果。建议：在可能的情况下，尽可能提高实际vgs,尽可能接近vmos给出的vgs最大值（决不能超过），这样才能获得最佳效果。 ...
55v/98a irfr024ntrpbf 55v/17a irfz44npbf 55v/49a irf9z34npbf -55v/17a irf1010epbf 60v/81a irf540npbf 100v/44a irf3315pbf 150v/21a irf6215pbf -150v/13a irf9640pbf -200v/-11a irfr220npbf 200v/5a irf620 200v/5.2a irf630npbf 200v/9.5a irf640npbf 200v/18a irfb38n20dpbf 200v/44a irfp260npbf 200v/50a irfp264pbf 250v/38a irf740pbf 400v/10a irf830pbf 500v/4.5a irf840pbf 500v/8a irfp450pbf ...
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