| 描述 | MOSFET N-CH 200V 9A TO-220 | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 9A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 400 毫欧 @ 4.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 45nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 700pF @ 25V | 功率 - 最大 | 75W |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 供应商设备封装 | TO-220AB | 包装 | 管件 |
| 工具箱 | 497-8004-KIT-ND - KIT MOSFET THRU HOLE 9VAL 5EA | 其它名称 | 497-2757-5 |
对于一定的反馈电压量，可使pwm调节器的输出脉宽不同，从而影响输出电压调节幅度，即影响指标中输出的动态响应调节幅度。积分器的电容c305的大小影响系统的调节速度，即影响指标中输出的动态响应时间。 4.2 功率器件的选取 变换器的开关器件采用功率mosfet，依据单管变换器计算电压的经验公式，取 式中：udmax为漏源极的最大电压； d为占空比。 所以，功率mosfet的反向电压应选用大于144v的，电流按高频变压器一次绕组的最大电流来确定。图1中v101选用耐压200v、电流9a的irf630。 4．3 高频变压器的设计 4.3.1 磁芯的选用 多路输出变压器一般要求有较大的窗口面积，dc/dc模块电源可选用fey型、fee型、eui型等磁芯，对于正激变换器，理论上变压器初级须有复位绕组nr，这里考虑到变压器脚位的问题，选取高饱和磁感应强度的磁材,去掉复位绕组,这样使每次磁芯都在磁化曲线的下部工作,避免磁芯饱和。 先确定最大磁感应强度bm，以计算并初选磁芯型号。 1）考虑高温时饱和磁感应强度bs会下降，同时为降低高频工作时磁芯损耗，最大工作磁感应强度一般选为0.2～0.25 ...
0 6 50 彩显行阻尼 表五：场效应管 型号 反压v 电流a 功率w 放大倍数 频率m 类型 型号 反压v 电流a 功率w 放大倍数 频率m 类型 2sk2485 900 6 100 n 2sk2718 900 2.5/7.5 40 2sk2645 600 9 50 2sk798 100 40 150 irf630 200 9 75 * * nmos 2sk799 450 12 120 irf730 400 5.5 75 * * nmos 2sk850 100 40 125 mtp5p25 250 5 75 pmos 2sk1522 500 50 250 n 2sk1629 500 30 200 n ...
对于一定的反馈电压量，可使pwm调节器的输出脉宽不同，从而影响输出电压调节幅度，即影响指标中输出的动态响应调节幅度。积分器的电容c305的大小影响系统的调节速度，即影响指标中输出的动态响应时间。 4.2 功率器件的选取 变换器的开关器件采用功率mosfet，依据单管变换器计算电压的经验公式，取 式中：udmax为漏源极的最大电压； d为占空比。 所以，功率mosfet的反向电压应选用大于144v的，电流按高频变压器一次绕组的最大电流来确定。图1中v101选用耐压200v、电流9a的irf630。 4．3 高频变压器的设计 4.3.1 磁芯的选用 多路输出变压器一般要求有较大的窗口面积，dc/dc模块电源可选用fey型、fee型、eui型等磁芯，对于正激变换器，理论上变压器初级须有复位绕组nr，这里考虑到变压器脚位的问题，选取高饱和磁感应强度的磁材,去掉复位绕组,这样使每次磁芯都在磁化曲线的下部工作,避免磁芯饱和。 先确定最大磁感应强度bm，以计算并初选磁芯型号。 1）考虑高温时饱和磁感应强度bs会下降，同时为降低高频工作时磁芯损耗，最大工作磁感应强度一般选为0.2～0.25 ...
用者更快、更准确地掌握它的各项功能。 在这近半年的时间里，我带着et521a 表走了许多用户，它帮助我解决了许多疑难故障，让我能够更准确地判断和解决问题。 记得一次上门维修一台tcl2927u 型彩电，其故障现象是开机“三无”，指示灯亮。打开机壳，用et521a 表测量“行管”没有击穿，开机测主电源电压为97 v，是行输出变压器损坏了吗？还是先测一下其他元件在说吧！经过测量原来是上阻尼二极管d402 损坏了。更换后，试机，发现已有图像，但图像有严重的枕形失真。于是先将枕校管q447（irf630）和无极性电容c541（4.7 μf）分别拆下测试，都是好的。用手摸电感l441 有些发热，难道是l441 坏了吗？马上拆下l441，将et521a 表拨至lx 档，插上专用测试线，把电感夹上，表头显示只有91 μh（与标称值600 μh 相差了509 μh），看来确实是电感l 损坏了。拆开线圈发现已烧毁。由于电感不容易买到，看来只能自制了。于是在附近找了一家电机修理部，跟师傅要了一些直径接近的漆包线，绕了102 圈，用et521a 表测量一下电感量为559 μh，装上试机，恢复正常。 还 ...
irf630请问irf630（200v/9a，rds=0.4欧），有与之对应的对管吗？ ...
tp7nk80zfp stp9nk60z stps20h100ct hcf4060bey stth12r06fp stth15r06fp stth2003cfp hcf4094bey stth3003cw stw20nm60 stw26nm60 irf540 tda7439ds tda7561 irf630 irf640 irf730 lm324dt lm393dt m24c02-wbn6p m24c02-wbn6tp m24c04-wbn6p m24c08-wbn6p m24c08-wbn6tp m29w400bb90n1 ne555n st13003-k st13005 stp24nf10 st ...
有没有用cmos管驱动的步进电机电路能不能用irf630驱动小功率的步进电机？ ...
菜鸟求助,如何区分irf630这个场效应管的三个极? ...
irf630导通电阻仅零点几欧通过200ma电流不应该发热。恐怕你的mosfet并没有充分导通（没有达到饱和），应该设法提高控制电压。按说，200ma电流用irfu110或irfd110已经够了。 ...
【Fairchild Semiconductor】IRF630_R4941,MOSFET TO-220AB N-Ch Power
【Fairchild Semiconductor】IRF630B_FP001,MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
【Fairchild Semiconductor】IRF630BTSTU_FP001,MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
【International Rectifier】IRF630NL,MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-262
【International Rectifier】IRF630NLPBF,MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-262
