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  • IRF630SPBF

IRF630SPBF

  • 制造商:-
  • 数据列表:IRF630SPBF
  • 标准包装:1,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:-
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 1$1.7
  • 25$1.3676
  • 100$1.2308
  • 250$1.094
  • 500$0.95726
产品属性
描述MOSFET N-CH 200V 9A D2PAKFET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C9A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C400 毫欧 @ 5.4A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250?A闸电荷(Qg) @ Vgs43nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds800pF @ 25V功率 - 最大3W
安装类型表面贴装封装/外壳TO-263-3,D?Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装TO-263(D2Pak)包装管件

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