| 描述 | MOSFET N-CH 200V 18A TO-262 | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 标准型 | 漏极至源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 18A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 180 毫欧 @ 11A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 70nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1300pF @ 25V | 功率 - 最大 | 130W |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I?Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装 | TO-262-3 | 包装 | 管件 |
| 其它名称 | *IRF640LPBF |
【International Rectifier】IRF640N,MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
【International Rectifier】IRF640NL,MOSFET N-CH 200V 18A TO-262
【International Rectifier】IRF640NLPBF,MOSFET N-CH 200V 18A TO-262
【International Rectifier】IRF640NPBF,MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
【International Rectifier】IRF640NSPBF,MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
【International Rectifier】IRF640NSTRLPBF,MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
【International Rectifier】IRF640NSTRR,MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
