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  • IRF640STRRPBF

IRF640STRRPBF

  • 制造商:-
  • 数据列表:IRF640S, LPBF
  • 标准包装:800
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:-
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 800$0.83003
  • 1600$0.76415
  • 2400$0.71145
  • 5600$0.6851
  • 20000$0.65875
产品属性
描述MOSFET N-CH 200V 18A D2PAKFET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C18A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C180 毫欧 @ 11A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250?A闸电荷(Qg) @ Vgs70nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds1300pF @ 25V功率 - 最大130W
安装类型表面贴装封装/外壳TO-263-3,D?Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装TO-263(D2Pak)包装带卷 (TR)
其它名称IRF640STRRPBF-NDIRF640STRRPBFTR

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