描述 | MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 15A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 6.8 毫欧 @ 15A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 2.55V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 17nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1520pF @ 10V |
功率 - 最大 | 2.2W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | DirectFET? 等容 SQ | 供应商设备封装 | DIRECTFET? SQ |
包装 | 带卷 (TR) |
国际整流器公司(international rectifier,简称ir)推出新款20v directfet mosfet同步降转换器芯片组——irf6610和irf6636。ir表示,这款小型罐式directfet mosfet对性能相当于一对so-8 mosfet,但体积却减少了40%,最适用于对尺寸、效率和热性能有重大要求的高频负载点(point-of-load,简称pol)设计。 ir台湾分公司总经理朱文义表示:“在12v计算机运算系统中,irf6610和irf6636芯片组最适用于可支持5v至1v以下输出电压的高密度15a pol转换器。以一个500khz pol转换器为例,若采用这款芯片组,便能在1.5v下提供15a输出电流,实现大于88%的效率。” irf6610的闸电荷(gate charge)低至10nc,可将开关损耗减至最低,实现最佳控制场效应管(fet)功能。irf6636则是一款多功能的directfet功率mosfet,其导通电阻为4.5mω,闸电荷低至18nc。它可耦合irf6610,成为专门针对15a应用的同步场效应管;又可配合irf ...
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