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IRF6616

描述MOSFET N-CH 30V 19A DIRECTFETFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C19A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5 毫欧 @ 19A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)2.25V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs44nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds3765pF @ 20V
功率 - 最大2.8W安装类型表面贴装
封装/外壳DirectFET? 等容 MX供应商设备封装DIRECTFET? MX
包装带卷 (TR)

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