宽度 | 3.95mm | 封装类型 | DirectFET SQ |
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尺寸 | 3.95 x 3.95 x 0.59mm | 引脚数目 | 6 |
最低工作温度 | -40 °C | 最大功率耗散 | 2200 mW |
最大栅源电压 | ±20 V | 最大漏源电压 | 30 V |
最大漏源电阻值 | 0.008 | 最大连续漏极电流 | 13 A |
最高工作温度 | +150 °C | 每片芯片元件数目 | 1 |
类别 | 功率 MOSFET | 通道模式 | 增强 |
通道类型 | N | 配置 | 四漏极、单 |
长度 | 3.95mm | 高度 | 0.59mm |
全球功率半导体和管理方案领导厂商——国际整流器公司(international rectifier,简称ir)近日推出全新30v同步降压式转换器芯片组,其中包括irf6631控制mosfet和irf6638同步mosfet。该芯片组采用双面冷却的ir基准directfet 封装和最新的hexfet mosfet技术,可以在中电流水平(低于18安培)实现更高的效率和散热表现。其应用包括先进笔记本电脑、台式电脑、电信和数据通信,以及需要细小、高效及更好的导热效果来提高功率密度的通用同步降压式设计。 ir中国销售总监严国富指出:“全新的directfet芯片组是设计人员所需应用于中功率水平之细小,快捷开关,及15至18安培功率转换器的最佳选择。它们不仅能在5至8安培应用上提高超过百分之一的效率,还比采用3颗so-8器件的典型方法节省了百分之五十的占板面积。” 该芯片组的每个器件都是为了使同步dc-dc降压式转换器电路实现最佳性能而设计的。irf6631 directfet控制mosfet可降低开关损耗,而irf6638 directfet同步mosfet则能减少传导损耗及反向恢复电荷。 ...
ir推出全新30v同步降压式转换器芯片组,其中包括irf6631控制mosfet和irf6638同步mosfet。该芯片组采用双面冷却的ir基准directfet 封装和最新的hexfet mosfet技术,可以在中电流水平(低于18安培)实现更高的效率和散热表现。其应用包括先进笔记本电脑、台式电脑、电信和数据通信,以及需要细小、高效及更好的导热效果来提高功率密度的通用同步降压式设计。 全新的directfet芯片组是设计人员所需应用于中功率水平之细小,快捷开关,及15至18安培功率转换器的最佳选择。它们不仅能在5至8安培应用上提高超过百分之一的效率,还比采用3颗so-8器件的典型方法节省了百分之五十的占板面积。 该芯片组的每个器件都是为了使同步dc-dc降压式转换器电路实现最佳性能而设计的。irf6631 directfet控制mosfet可降低开关损耗,而irf6638 directfet同步mosfet则能减少传导损耗及反向恢复电荷。 irf6631控制fet的栅极电荷为12nc,电阻栅极电荷(99.6 mohmsnc)优值系数比先前的产品减少了16%。irf6638 ...
【International Rectifier】IRF6631TR1PBF,MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
【International Rectifier】IRF6631TRPBF,MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
【International Rectifier】IRF6633ATR1PBF,MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
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【International Rectifier】IRF6633TR1PBF,MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
【International Rectifier】IRF6633TRPBF,MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET