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  • IRF6631

IRF6631

参考价格

  • 数量单价
  • 5RMB14.20
  • 25RMB13.82
宽度3.95mm封装类型DirectFET SQ
尺寸3.95 x 3.95 x 0.59mm引脚数目6
最低工作温度-40 °C最大功率耗散2200 mW
最大栅源电压±20 V最大漏源电压30 V
最大漏源电阻值0.008最大连续漏极电流13 A
最高工作温度+150 °C每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET通道模式增强
通道类型N配置四漏极、单
长度3.95mm高度0.59mm

“IRF6631”电子资讯

  • IR推出用于DC-DC降压式转换器的30V DirectFET MOSFET芯片组

    全球功率半导体和管理方案领导厂商——国际整流器公司(international rectifier,简称ir)近日推出全新30v同步降压式转换器芯片组,其中包括irf6631控制mosfet和irf6638同步mosfet。该芯片组采用双面冷却的ir基准directfet 封装和最新的hexfet mosfet技术,可以在中电流水平(低于18安培)实现更高的效率和散热表现。其应用包括先进笔记本电脑、台式电脑、电信和数据通信,以及需要细小、高效及更好的导热效果来提高功率密度的通用同步降压式设计。 ir中国销售总监严国富指出:“全新的directfet芯片组是设计人员所需应用于中功率水平之细小,快捷开关,及15至18安培功率转换器的最佳选择。它们不仅能在5至8安培应用上提高超过百分之一的效率,还比采用3颗so-8器件的典型方法节省了百分之五十的占板面积。” 该芯片组的每个器件都是为了使同步dc-dc降压式转换器电路实现最佳性能而设计的。irf6631 directfet控制mosfet可降低开关损耗,而irf6638 directfet同步mosfet则能减少传导损耗及反向恢复电荷。 ...

“IRF6631”技术资料

  • IR推出30V同步降压式转换器芯片组IRF6631/38

    ir推出全新30v同步降压式转换器芯片组,其中包括irf6631控制mosfet和irf6638同步mosfet。该芯片组采用双面冷却的ir基准directfet 封装和最新的hexfet mosfet技术,可以在中电流水平(低于18安培)实现更高的效率和散热表现。其应用包括先进笔记本电脑、台式电脑、电信和数据通信,以及需要细小、高效及更好的导热效果来提高功率密度的通用同步降压式设计。 全新的directfet芯片组是设计人员所需应用于中功率水平之细小,快捷开关,及15至18安培功率转换器的最佳选择。它们不仅能在5至8安培应用上提高超过百分之一的效率,还比采用3颗so-8器件的典型方法节省了百分之五十的占板面积。 该芯片组的每个器件都是为了使同步dc-dc降压式转换器电路实现最佳性能而设计的。irf6631 directfet控制mosfet可降低开关损耗,而irf6638 directfet同步mosfet则能减少传导损耗及反向恢复电荷。 irf6631控制fet的栅极电荷为12nc,电阻栅极电荷(99.6 mohmsnc)优值系数比先前的产品减少了16%。irf6638 ...

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