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IRF6644TR1

描述MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-MNFET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)100V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C10.3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C13 毫欧 @ 10.3A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)4.8V @ 150?A
闸电荷(Qg) @ Vgs47nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds2210pF @ 25V
功率 - 最大2.8W安装类型表面贴装
封装/外壳DirectFET? 等容 MN供应商设备封装DIRECTFET? MN
包装带卷 (TR)

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