您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > FET - 单 > irf6691tr1pbf
  • IRF6691TR1PBF

IRF6691TR1PBF

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 1000$2.471
  • 3000$2.353
  • 5000$2.271
  • 10000$2.195
描述MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFETFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C32A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.8 毫欧 @ 15A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs71nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds6580pF @ 10V
功率 - 最大2.8W安装类型表面贴装
封装/外壳DirectFET? 等容 MT供应商设备封装DIRECTFET? MT
包装带卷 (TR)其它名称IRF6691TR1PBFTR

irf6691tr1pbf的相关型号: