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  • IRF6711STR1PBF

IRF6711STR1PBF

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 1000$1.092
  • 3000$1.049
  • 5000$0.999
  • 10000$0.964
  • 25000$0.932
描述MOSFET N-CH 25V 19A DIRECTFET-SQFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)25V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C19A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3.8 毫欧 @ 19A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)2.35V @ 25?A
闸电荷(Qg) @ Vgs20nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds1810pF @ 13V
功率 - 最大2.2W安装类型表面贴装
封装/外壳DirectFET? 等容 SQ供应商设备封装DIRECTFET? SQ
包装带卷 (TR)其它名称IRF6711STR1PBFTR

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