| 描述 | MOSFET N CH 25V 19A DIRECTFET | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 25V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 19A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 3.7 毫欧 @ 19A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.1V @ 35?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 17nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1590pF @ 13V |
| 功率 - 最大 | 2.1W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | DirectFET? 等容 SQ | 供应商设备封装 | DIRECTFET? SQ |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | IRF6811STR1PBFTR |
