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  • IRF7106

IRF7106

  • 制造商:-
  • 现有数量:0现货
  • 价格:停产
  • 系列:HEXFET?
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
产品属性
描述MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.5A 8-SOIC技术MOSFET(金属氧化物)
配置N 和 P 沟道FET 功能-
漏源电压(Vdss)20V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)3A,2.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)125 毫欧 @ 1A,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)25nC @ 10V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)300pF @ 15V
功率 - 最大值2W工作温度-
安装类型表面贴装型封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装8-SO

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