描述 | MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.5A 8-SOIC | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
---|---|---|---|
配置 | N 和 P 沟道 | FET 功能 | - |
漏源电压(Vdss) | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3A,2.5A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 125 毫欧 @ 1A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250μA |
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 25nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 300pF @ 15V |
功率 - 最大值 | 2W | 工作温度 | - |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装 | 8-SO |