描述 | MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 5.2A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 50 毫欧 @ 2.6A,4.5V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 700mV @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 20nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 660pF @ 15V |
功率 - 最大 | 2W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 供应商设备封装 | 8-SO |
包装 | 管件 |
【International Rectifier】IRF7301TRPBF,MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7303PBF,MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7303QTRPBF,MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7303TRPBF,MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7304,MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7304PBF,MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8-SOIC