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  • IRF7313TRPBF-1

IRF7313TRPBF-1

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  • 现有数量:0现货
  • 价格:停产
  • 系列:HEXFET?
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
产品属性
描述MOSFET 2N-CH 30V 8-SOIC技术MOSFET(金属氧化物)
配置2 N-通道(双)FET 功能-
漏源电压(Vdss)30V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)6.5A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)29 毫欧 @ 5.8A,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)33nC @ 10V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)650pF @ 25V
功率 - 最大值2W(Ta)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装8-SOIC

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