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IRF7322D1

描述MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOICFET 特点二极管(隔离式)
漏极至源极电压(Vdss)20V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C5.3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C62 毫欧 @ 2.9A,4.5VId 时的 Vgs(th)(最大)700mV @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs29nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds780pF @ 15V
功率 - 最大2W安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)供应商设备封装8-SO
包装管件其它名称*IRF7322D1

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