| 描述 | MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8-SOIC | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 12V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 7.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 24 毫欧 @ 7.8A，4.5V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 900mV @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 33nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 2020pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 2W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 供应商设备封装 | 8-SO |
| 包装 | 管件 | 其它名称 | *IRF7325Q1153815D |
这个负载开关可以简单地提供大于3a的输出电流。因为电路静态电流只是由两个三极管的漏电流产生的（小于100na），因此它可以被看作是零功耗。 因为ald 和 international rectifier device都是“双”的，一个常开、双极版的电路很容易就被建立了。电路的输入端既可以被连接在一起而提供一个dpst功能，也可以保持独立，而组成两个spst开关。 为了建立一个常开零功耗电路而且其负载通常处于关断状态，需要用一个n沟道负载驱动器（例如irf7313）取代p沟道负载驱动器irf7325。在这种情况下，电路是通常开通状态而且负载处于通常关闭状态，整个电路只消耗漏电流。相对于一个继电器激活的电路，这个电路的静态消耗被降低了几个数量级，从几瓦到几微瓦。 如图2的一个单常开、高侧spst开关电路，展示了一个应用ald110900a的超低功耗开关。 图2：一个使用了ald epd mosfets的微功耗、常开、高侧负载开关实现了零功耗；q2是一个零阀值器件。 advanced linear devices的ald110800(quad) 和 ald110900 ...
【International Rectifier】IRF7325PBF,MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7325TR,MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7325TRPBF,MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7326D2,MOSFET P-CH 30V 3.6A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7326D2PBF,MOSFET P-CH 30V 3.6A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7326D2TR,MOSFET P-CH 30V 3.6A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7326D2TRPBF,MOSFET P-CH 30V 3.6A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7328PBF,MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC