| 描述 | MOSFET P-CH 55V 3.4A 8-SOIC | FET 类型 | P 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 55 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.4A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | - |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 105 毫欧 @ 3.4A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 38 nC @ 10 V | Vgs（最大值） | - |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 690 pF @ 25 V | FET 功能 | 肖特基二极管（隔离式） |
| 功率耗散（最大值） | - | 工作温度 | - |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-SO |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
【International Rectifier】IRF7342PBF,MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7342QTRPBF,MOSFET P-CH DUAL 55V 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7342TRPBF,MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7343PBF,MOSFET N+P 55V 3.4A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7343QTRPBF,MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC
